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國(guó)家半導(dǎo)體上市功耗僅552nW的運(yùn)算放大器IC

作者:山下 勝己
來源:日經(jīng)BP網(wǎng)
日期:2009-08-13 09:28:23
摘要: 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(National Semiconductor)上市了功耗僅552nW的運(yùn)算放大器IC“LPV521”。主要面向無線遠(yuǎn)程傳感器、電力線路監(jiān)測(cè)裝置、電表、RFID標(biāo)簽用閱讀器及氧氣/煤氣傳感器等。

  美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(National Semiconductor)上市了功耗僅552nW的運(yùn)算放大器IC“LPV521”。主要面向無線遠(yuǎn)程傳感器、電力線路監(jiān)測(cè)裝置、電表、RFID標(biāo)簽用閱讀器及氧氣/煤氣傳感器等。 

  電源電壓范圍為+1.6~5.5V。輸入補(bǔ)償電壓最大為1mV,其溫度誤差最大為3.5μV/℃。輸入偏壓電流較小,為標(biāo)準(zhǔn)40fA。輸入共模電壓確保了超過電源電壓0.1V的范圍。 

  其他特性如下。輸入換算噪音電壓為標(biāo)準(zhǔn)265nV/√Hz(頻率為100Hz時(shí)),轉(zhuǎn)換速率為標(biāo)準(zhǔn)2.4V/ms,增益帶寬(Gain Bandwidth)為標(biāo)準(zhǔn)6.1kHz,開環(huán)增益(Open Loop Gain)為132dB,共模抑制比(CMRR)為標(biāo)準(zhǔn)101dB(輸入共模電壓為0~+0.7V時(shí)),電源抑制比(PSRR)為標(biāo)準(zhǔn)109dB。為了防止RF信號(hào)干擾,內(nèi)置了EMI濾波器。 

  制造技術(shù)采用該公司自主開發(fā)的雙極CMOS技術(shù)“VIP50”。封裝采用5端子SC-70。1000個(gè)批量購(gòu)買時(shí)的單價(jià)為0.65美元。



功耗僅560nW的運(yùn)算放大器IC