在研究讀寫器和射頻標(biāo)簽通信過程的基礎(chǔ)上，結(jié)合EPC C1G2協(xié)議以及ISO／IEC18000．6協(xié)議， 采用VHDL語言設(shè)計(jì)出一種應(yīng)用于超高頻段的射頻標(biāo)簽數(shù)字電路。對(duì)電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和模塊具體實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了描述。基于0．18μm CMOS工藝標(biāo)準(zhǔn)單元庫，采用EDA工具對(duì)電路進(jìn)行了前端綜合和后端物理實(shí)現(xiàn)。給出的仿真結(jié)果表明該電路符合協(xié)議要求，綜合后的電路規(guī)模約為11000門，功耗約為35μW 。該電路可應(yīng)用于超高頻段的各種RFID標(biāo)簽的數(shù)字部分。
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