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三星推全新嵌入式閃存NFC芯片

全球先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布推出全新近場通信(NFC)芯片S3FWRN5，以小型封裝實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大射頻(RF)性能。相比上一代產(chǎn)品S3FNRN3，新推出的S3FWRN5芯片的RF性能得到顯著提高，閱讀器和卡仿真模式的RF連接距離延長了一倍。

10/09
0805 RFID世界上午茶：華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片

中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司（“華大電子”）共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供貨，其優(yōu)良性能得到客戶的廣泛認(rèn)可。

08/05
華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片

中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司（“華大電子”）共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供貨，其優(yōu)良性能得到客戶的廣泛認(rèn)可。

08/05
三星電子首創(chuàng)45nm嵌入式閃存工藝用于智能卡芯片

三星電子成功開發(fā)業(yè)界首款45nm嵌入式閃存(Embedded Flash或eFlash, 內(nèi)置型閃存)工藝以及采用此工藝的智能卡芯片。嵌入式閃存工藝是在控制和處理數(shù)據(jù)的系統(tǒng)半導(dǎo)體電路中，實(shí)現(xiàn)閃存電路的數(shù)據(jù)存儲，可提高集成度和電力效率，適用于家電，移動設(shè)備，汽車等多個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品應(yīng)用。

06/04
同方微電子攜手宏力半導(dǎo)體穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米最小閃存存儲單元SIM卡

近日，專注智能卡芯片設(shè)計(jì)的北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)與晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過2億顆，且生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國內(nèi)市場。

10/29
華虹NEC實(shí)現(xiàn)“國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎”三連冠

上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)自主研發(fā)的“SONOS 0.13微米嵌入式閃存(eFlash)技術(shù)”榮獲“2010年度國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎-優(yōu)秀應(yīng)用成果獎”，這是華虹NEC連續(xù)第三年獲得這一殊榮。

06/09
英飛凌攜手臺積電開發(fā)芯片卡所需的65納米嵌入式閃存工藝

英飛凌科技股份公司與臺積電日前共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。

11/06
華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝發(fā)展取得進(jìn)一步成果

2008年10月30日－世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）今天宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計(jì)公司的合作順利進(jìn)行。

11/05