比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)近日在舊金山舉辦2017國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)，和霍爾斯特中心與卡塔孟地(Cartamundi)共同展示一款創(chuàng)新的近場(chǎng)通訊(NFC)標(biāo)簽，在塑膠基板上使用氧化銦鎵鋅薄膜電晶體(IGZO TFT)，以薄膜電晶體技術(shù)製造而成。此款相容于NFC條碼協(xié)定(ISO14443-A的子集之一)的塑膠上薄膜標(biāo)簽，為許多消費(fèi)級(jí)智能手機(jī)的內(nèi)建標(biāo)準(zhǔn)。

　　比利時(shí)微電子研究中心資深研究員Kris Myny表示，要讓塑膠材質(zhì)的電子裝置，能夠相容于塬先針對(duì)硅材質(zhì)CMOS所設(shè)計(jì)的ISO標(biāo)準(zhǔn)，在進(jìn)行研發(fā)時(shí)非常具挑戰(zhàn)性。該研究中心與各家合作伙伴共同努力，才得以開發(fā)出與產(chǎn)業(yè)相關(guān)的解決方案。

　　塑膠材質(zhì)的電子元件讓各種低成本裝置得以實(shí)現(xiàn)各種可能性，其中幾個(gè)例子像是物件層級(jí)識(shí)別、智慧型食品包裝、品牌保護(hù)以及電子紙等等;以前要在這些應(yīng)用中內(nèi)建硅晶片，是件難以想像的事。該研究中心的IGZO TFT技術(shù)，使用大面積製程，能夠大量平價(jià)生產(chǎn)這項(xiàng)技術(shù)，相當(dāng)適用于無(wú)所不在的萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)電子裝置。

　　研究人員開發(fā)出自我整合型的TFT結(jié)構(gòu)，因此獲得最佳化的小型元件，具備低寄生電容與高截止頻率的性質(zhì)。邏輯閘和系統(tǒng)層級(jí)的耗電量經(jīng)過(guò)最佳化，功耗僅為7.5mW，讓消費(fèi)級(jí)智能手機(jī)能夠讀取標(biāo)簽。