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ADI 公司可變增益放大器達到前所未有的RF與IF頻率性能與集成度

高度集成的SiGe BiCMOS 和GaAs RF/IF 可變增益控制放大器集多種功能于單芯片，大幅節省原材料，并實現無線性能突破。

10/09
SiGe半導體推出集成式WiFi前端IC

基于硅技術的射頻(RF)前端解決方案供應商SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor)擴展其全面廣泛的產品系列，推出RF開關/LNA前端IC(FEIC)產品SE2601T。新器件專門為提高嵌入式應用中融合型藍牙/WiFi芯片組的性能和功能性而設計，能夠滿足新一代智能電話、上網本、個人媒體播放器和數碼相機對融合多種連接能力(如WiFi?和藍牙?)不斷增長的需求。

05/27
恩智浦將推出50種采用SiGe:C BiCMOS工藝技術的射頻/微波產品

恩智浦的QUBiC4硅工藝技術為高頻應用帶來了強勁和實惠的射頻/微波產品

05/24
SiGe推出半導體Wi-Fi/藍牙前端模塊SE2571U

SiGe 半導體公司(SiGe Semiconductor, Inc)現已擴展其 Wi-Fi 產品系列，推出 SE2571U 前端模塊，專門瞄準包括手機、游戲、數碼相機和個人媒體播放器 (PMP) 的嵌入式應用。

06/11
Maxim推出用于無線基站的高線性度雙通道SiGe下變頻混頻器

器件提供緊湊的6mm x 6mm、36引腳TQFN封裝，引腳排列與現有的MAX9985、MAX19985A和MAX9995系列700MHz至2200MHz雙通道混頻器類似。該系列雙通道下變頻器理想用于多個頻段采用同一PCB布局的應用。

03/05
SiGe針對Wi-Fi應用推出全球最小的RF前端解決方案SE2566U

SE2566U 是業界唯一一款集成了兩個 2.4GHz 完全匹配功放的 RF 前端解決方案。它還在3mm x 3mm的微型封裝中整合了諧波濾波器、輸入輸出匹配電路，并為每一個發射鏈路配備了一個功率檢測器

12/15
SAE上博世介紹采用SiGe技術的毫米波雷達

博世表示通過采用SiGe技術，可以比以往采用的MMIC技術降低成本。將來有望在車輛上配備兩個毫米波雷達，并可追加功能。

04/23
SiGe半導體推出高集成度RF前端模塊SE2593A

SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor, Inc)宣布推出該公司集成度最高的射頻(RF)前端模塊，型號為SE2593A。該器件專為符合IEEE 802.11n規范的Wi-Fi產品而設計，包含了收發器和天線之間所需的全部電路，可提供一個完整的2.4 GHz/5GHz WLAN多輸入多輸出(MIMO) RF解決方案。

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