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GaN
  • 據麥姆斯咨詢報道，近日，日本世界頂級計劃材料納米結構學國際研究中心(WPI-MANA)研究團隊展示了一種具有高溫度穩定性的氮化鎵(GaN)MEMS諧振器，該諧振器具有高頻穩定性、高品質(Q)因子、與硅基IC技術大規模集成的潛力。
    07/19
  • 荷蘭恩智浦(NXP)半導體公司周二表示，已在美國亞利桑那州錢德勒市(Chandler)開設了一家工廠，生產用于5G電信設備的氮化鎵芯片。
    10/10
  • 到 2025 年，整個 GaN RF 市場將從 2019 年的 7.4 億美元增長到超過 20 億美元，復合年增長率為 12%。
    09/17
  • 由 RFMD 和 TriQuint 于 2015 年合并成立的新公司 Qorvo 是射頻市場當之無愧的巨頭。
    08/18
  • 2015年， RFMD 和 TriQuint 合并成立 Qorvo，RFMD 擅長手機端射頻器件，TriQuint 則在 Filter 和 GaN 有技術優勢，二者的合并，為 Qorvo 帶來了最為齊全的產品線，在 Sub-6G 和毫米波頻段都能提供成熟的解決方案。
    03/06
  • 近十年來在經由英國Herald Haas教授等人倡議自由空間照明與通訊兩用的Light-Fidelity(Li-Fi)技術，以及在氮化鎵(GaN)藍光發光與雷射二極管組件制程技術及量產商品蓬勃發展態勢之下，可見照明通訊在短短幾年間立即成為產官學研界熱烈討論的關鍵性發展課題。在不久的將來，Li-Fi勢必將因為其兼具照明與通訊整合的雙重用途，而成為智能家居生活不可或缺的革命性技術。
    06/28