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NAND閃存芯片
  • MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封裝將16片行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)32Gb NAND閃存芯片和2片HLNAND接口器件組合在一起，在一個(gè)單字節(jié)寬HLNAND接口通道上實(shí)現(xiàn)了333MB/秒的輸出。普通NAND閃存多芯片封裝設(shè)計(jì)不能堆迭超過4片NAND芯片，否則性能便會(huì)降低，并且需要用兩個(gè)甚至多個(gè)通道來實(shí)現(xiàn)類似的吞吐率。
    04/05
  • 全球閃存卡的領(lǐng)導(dǎo)者SanDisk Corporation (NASDAQ：SNDK) 近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲(chǔ)制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術(shù)的64-gigabit (Gb) 單塊芯片。此項(xiàng)技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機(jī)、平板電腦和其他設(shè)備的高性能、小尺寸嵌入式和可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。
    04/26