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NAND閃存芯片
MOSAID率先推出單通道高性能16芯片NAND閃存塊
MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封裝將16片行業(yè)標準32Gb NAND閃存芯片和2片HLNAND接口器件組合在一起,在一個單字節(jié)寬HLNAND接口通道上實現(xiàn)了333MB/秒的輸出。普通NAND閃存多芯片封裝設(shè)計不能堆迭超過4片NAND芯片,否則性能便會降低,并且需要用兩個甚至多個通道來實現(xiàn)類似的吞吐率。
04/05
SANDISK宣布推出的19納米工藝制造技術(shù)的NAND閃存芯片
全球閃存卡的領(lǐng)導者SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) 近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術(shù)的64-gigabit (Gb) 單塊芯片。此項技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機、平板電腦和其他設(shè)備的高性能、小尺寸嵌入式和可移動存儲設(shè)備。
04/26